1、H20R1203可以使用电磁炉IGBT管FGA25N120进行替换。

(资料图片)

2、IGBT管的性能不能光看它的电流与反压。

3、还有饱和压降、频率响应都是重要指标。

4、就后俩参数来讲，H20R1203优于FGA25N120。

5、但差别不大。

6、所以FGA25N120是正品的话，一般都可以代换H20R1203。

7、FGA25N120为内带阻尼管的场效应管。

8、一般IGBT有三个电极, 分别称为栅极G、集电极C及发射极E。

9、扩展资料：在截止状态下的IGBT ，正向电压由J2 结承担，反向电压由J1结承担。

10、如果无N+缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT 的某些应用范围。

11、IGBT 的转移特性是指输出漏极电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。

12、它与MOSFET 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时，IGBT 处于关断状态。

13、在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内， Id 与Ugs呈线性关系。

14、最高栅源电压受最大漏极电流限制，其最佳值一般取为15V左右。

15、动态特性又称开关特性，IGBT的开关特性分为两大部分：一是开关速度，主要指标是开关过程中各部分时间；另一个是开关过程中的损耗。

16、IGBT 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。

17、IGBT 处于导通态时，由于它的PNP 晶体管为宽基区晶体管，所以其B 值极低。

18、尽管等效电路为达林顿结构，但流过MOSFET 的电流成为IGBT 总电流的主要部分。

19、参考资料来源：百度百科——IGBT。

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